3D IC矽穿孔製程漸成熟有助3C產品微縮設計 - DigiTimes電子時報 2013年9月5日 ... 行動運算產品市場持續朝產品薄化方向設計，目前相關設計多使用整合晶片減少 ... 必須利用堆疊與更複雜的3D IC技術進行元件整合的積極微縮設計…
製程微縮瓶頸浮現 三維晶片接棒超越摩爾 - 技術前瞻 - 新通訊元件雜誌 晶片堆疊 晶片堆疊(Die Stacking)則是將晶片薄化後進行堆疊，然後用打線(Wire Bond)的方法將訊號連接。目前廣泛應用的Micro SD卡的多晶片封裝(Multi-Chip Package, MCP)即採用此方法。其優點是技術成熟、成本低，但因打線、磨薄及黏合材料等限制，在厚薄度 ...
三維積體電路直通矽穿孔技術之應 用趨勢與製程簡介 025 奈米通訊 NANO COMMUNICATION 20卷 No.3 三維積體電路直通矽穿孔技術之應用趨勢與製程簡介 較有能力提供此技術服務。Via-last TSV 是指 TSV 結構於晶片的 CMOS 電路 ( 或 FEOL) 與BEOL 皆完成後，再被植入矽基板中。
設備及晶圓廠技術躍進 2013將為3D IC量產元年 - 懂市場 - 新電子科技雜誌 3D IC將於2013年大量量產。由於半導體設備商、晶圓代工廠加碼投資，並全力衝刺技術研發，3D IC兩道關鍵製程--TSV及Via-Reveal已出現重大突破，包括台積電、聯電等晶圓大廠均將陸續導入量產，推助3D IC出貨量急速攀升。 在半導體
半導體科技.先進封裝與測試雜誌 - 以暫時性黏合法實現超薄晶片製程 - Semicondutor Magazine background-color: #ffff00 3>消費性電子正驅使3D封裝的需求朝向更小、更高性能、更低價格的元件架構的方向前進，使得該項技術可以應用在記憶體或是無線元件等裝置上。這些新的方向接著引起對超薄晶片製程的需求。當晶片厚度薄到100μm以下，製程遭遇的 ...
3D IC製程的技術優勢促成記憶體效能改善關鍵 - DigiTimes電子時報 2013年9月5日 ... 目前在3D IC製程方面，由於採用3D IC概念製作的元件具高度整合效益，剛好呼應 現有市場產品需求，成為當紅的IC封裝設計方案，但3D IC製程仍有 ...
聯華電子股份有限公司 公司簡介-yes123求職網 聯華電子公司總部設在台灣新竹科學園區，為世界一流的晶圓專工公司。為了讓客戶的產品能在競爭激烈的IC市場中脫穎而出，聯電先進製程技術涵蓋電子工業的每一應用領域，並率先採用嶄新的製程技術及材料，其中包括銅導線技術、低介電值阻絕層 ...
三維晶片- 维基百科，自由的百科全书 3D IC是將多顆晶片進行三維空間垂直整合，以因應半導體製程受到電子及材料的 物理極限。 半導體行業追求這個有前途的 ...
因應10奈米/3D IC製程需求半導體材料/封裝技術掀革命- 懂 ... - 新電子 半導體材料與封裝技術即將改朝換代。因應晶片製程邁向10奈米與立體設計架構， 半導體廠正全力投入研發矽的替代材料， ...
